高品质全新上市P10户外全彩LED显示屏

项目 参数 物理点间距 10毫米 物理密度 10000点/㎡ 像素点组成 1R1G1B LED规格 346 LED参数 红：λd（625-630nm）IV：（150-200mcd） 绿：λd（520-525nm）IV：（260-330mcd） 蓝：λd（465-470nm）IV：（55-65mcd） *功耗 1000W/㎡ 驱动方式 1/4恒流驱动 亮度 7000 cd/㎡ 水平视角 110° *可视距离  10-50米 模组尺寸 160x160毫米 模组分辨率 16X16点 显示模式 正常1024X768 控制方式 异步或同步 供电电压 AC220V/380V±10％,50Hz 模组寿命 10万小时 备注 套件喷油    LDE的芯片结构设计是一项非常复杂的系统工程，其内容涉及以提高注入效率和光效为目的电致发光结构设计、以提高学出光效率为目的的光引出结构设计和与光效密相关的电极设计等。 随着MOCVD外延生长技术和多*阱结构的发展，人们在*控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破，处延片的内*效率已有很大提高。像波长为625nm的A1InGap基LED，内*效率已接近极限，可达100％.A1InGap基LED的内*效率虽远比A1InGap基LED的低，但也达40％～50％。 大家知道，LED的外*效率取决于外延材料的内*效率和芯片的出光效率，提高LED发光效率的关健是提高芯片的外*效率，这在很大程度上决于芯片的出光效率。为此HBLED和超HBLED要求设计新型芯片结构来提高器件的出光效率，进而提高发光效率。下面对提高LED发光效率的技术途径和发展状况作简要介绍。深圳市合创美光电科技有限公司 -------------LED全彩屏专业厂家严格执行ISO9001规范品种齐全，功能*、价格合理，*！我们的承诺：屏的质量问题我们全屏更换！ 有需要的请联系我的旺旺：liushazijuan  邮箱： 或是拨打电话：吕娟 4006-918-986 标签：     深圳市全彩显示屏   深圳市全彩显示屏厂家
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