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产品参数 品牌：FLUKE/福禄克 型号：长禾 加工定制：是 类型：线材测试仪 产品特点 1. 静态参数测试 （1）栅-射大漏电流IGES测试 ，该项测试在额定的G-E电压下进行。测试时将G-E短路。其测试原理如图1a所示。通常情况下，Vdrive=±20V。此时IGES(+)＜100nA，而IGES(-)＞-100nA. （2）栅阈值电压VCE(th)测试在该项测试中，须将G-E短路，测试原理如图1b所示。从集电注入一恒定的电流，此时因IGBT处于关断状态，故不会有电流从C-E结间流过。G-E间固有的电容开始充电，当G-E结上电压达到VGE(th)时，IGBT开始导通。此时，将有电流从C-E结流过，通过监控该电流就能达到测试VGE(th)的目的。VGE(th)呈负温度系数特性，经过测试，其温度系数为：-11mV/℃。例如，在25℃时，VGE(th)=3V,到150℃时，VGE(th)只有1.63V。 （3）C-E通态压降VCE(on)测试即指在额定集电电流Ie和额定G-E电VGE下的G-E通态压降。该参数是IGBT营业中的重要参数，其大小直接决定通态损耗的大小。测试原理图见图2a。 （4）续流二管的正向压降VEM测试即指IGBT模块中与IGBT芯片反并的续流二管的正向压降。该值与IGBT模块的关断特性紧密相关，若VEM小，则IGBT关断速度快，关断损耗会减小，但守断时IGBT上的过冲电压尖峰较高；反之，则会造成关断损耗其测试原理如图2b所示 （5）C-E漏电流ICES测试进行该项测试时，G-E应短路，在C-E上加IGBT的额定电压Ve set.测试原理图见图3a。 （6）G-E阻断电压VCES(Bias)测试进行该项测试时，栅和发射应短路。在的集电电流值ICset下，集-射上的小电压即为VCES(Bias)。通常情况下，Ie set=1mA.测试电路见图3b。 IGBT的阻断电压随结温的上升而上升。对于额定电压为600V的IGBT，其VCES(Bias)通常为25℃时的阻断电压，因为它随温度下降而降低，所以在-40℃时，额定电压600V的IGBT模块，其VCES(Bias)≈550V。 2. 动态参数测试 （1）擎住电流LUT测试IGBT的纵向结构为pnpn4层结构，如果条件合适，踏能像晶闸管一样擎住，此时IGBT的负载为阻性负载。通常情况下，集电电压VCC为额定电压60%擎住电流为额定电流的两倍。LUT测试的时序如图4所示。通常测试系统的电流保护值Iprot设定为额定电流的3.5~4倍。 （2）能耗Eloss测试对于电路设计者来说，开关过程中元件内部的能量损耗非常重要，藉此可以计算出开关损耗的平均值。进行此项测试时，IGBT的负载为负载。总的开关损耗值由两部分组成：①开通损耗Eon,其中包括与IGBT芯片反并续流二管的反向恢复损耗；②关断损耗Eoff,包括电流拖尾部分的损耗。IGBT开关损耗波形如图5所示。 （3）反偏安全工作区（RBSOA）测试该项测试主要用于考核IGBT模块关断时工作在大电流和电压下的工作能力。此时，IGBT的负载为负载，其测试原理图和参考波形如图6a所示。 直流参数 MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品； 检测电压：7500V 检测电流：6000A *，IEC 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件 检测电压：2500V 检测电流：200A 美军标 栅电阻 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测阻0.1Ω～50Ω JEDEC 开关时间 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件； 检测电压：1200V 检测电流：200A 产品实拍 标签：     西安市功率器件测试   西安市功率器件测试厂家
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