DCMCE1666_CDE电解电容DCMCE1666_螺栓式铝电解电

DCMCE1666美国CDE  85 ºC螺栓式铝电解电容 全新原装 *惠 咨询电话 鲍先生 本公司为一般纳税人可开17%*   DCMCE1666 特点：      制造于美国      延伸阴极快速散热构造      具有*的性能可选做电源滤波和储能 例如：                –焊机                 –不间断电源系统                 –微电脑控制电源 DCMCE1666 规格说明：            工作温度范围：-40°C to +85°C                  DC漏电流：充电后5分钟，圆径≦88.9mm *值6 mA，圆径≦76.2mm*值5mA        纹波电流修正系数：环境温度                          45°C  55°C   65°C   75°C   85°C                          2.24    2.00     1.73     1.41    1.00         EIA纹波电流寿命： 可通过美国 EIA IS-749 85℃2000h 满载标准                               容量的偏差不大于初始值的±20%                               等效串联电阻 不大于初始规定值的200%                               漏电流不大于初始规定值               寿命测试：  在85℃及额定电压4000小时测试                               容量的偏差不大于初始值的±20%                               等效串联电阻 不大于初始规定值的200%                               漏电流不大于初始规定值                存储寿命：  在85℃500小时后,容量及等效串联电阻及漏电流接近初始要求           震动测试实验： 10 到55Hz,作用时间6ms ,*10g ,在2个轴向个1.5小时   本公司主要经营美国CDE电容：  无感电容：     941C系列：941C12P1K-F 941C12P15K-F 941C12P22K-F 941C12P33K-F 941C12P47K-F     930C系列：930C12W2K-F 930C12W3K-F 930C12W3-3K-F 930C4W2K-F 930C2W30J-F 930C2W30-1J-F  SCT型IGBT突波吸收盒：     SCT474K122D3B25-F SCT474K102D3B25-F SCT474K601A3B25-F SCT334K162D3B25-F SCT334K202D3B25-F  SCMT型 单个或双个IGBT突波吸收密封盒装电容器：     SCMT105K601H5N29-F SCMT474K122H8P29-F SCMT334K122H8P28-F  SCMT205K122H1P29-F  UNL型 镀金属聚丙烯电解薄膜电容器：     UNL10W10KS-F UNL12W7P5K-F UNL8W15KS-F UNL9W13P5K-F UNL5W35KS-F UNL6W30K-F DCMCE85 ºC螺栓式铝电解电容：DCMCE1647 DCMCE1649 DCMCE1669 DCMCE1671 DCMCE1654 突波吸收和射频设备，云母电容器：CD16 & CDV16标准封装                              云母电容：CD10，CD15，CD19，CD30，CD42，CDV19，CDV30型高频                                 云母电容器 ：CD17, CD18 & CDV18 全新原装 *惠 咨询电话 鲍先生 DCMCE1666 图片:  深圳市新科维电子有限公司(深圳市福田区芯科维电子商行)电  话：0086-755-83253360传  真：0086-755-83253360   鲍经理  刘小姐地  址：广东省深圳市福田区中航路高科德电子交易中心A1830室网  址：邮  件： S N ：   Q ：936642050Q   Q ：1362262020 标签：     深圳市电解电容   深圳市电解电容厂家
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