供应GST刻蚀锗锑碲化物ICP刻蚀

function loadjscssfile(filename, filetype){ if (filetype=="js"){ //if filename is a external JavaScript file var fileref=document.createElement(script) fileref.setAttribute("type","text/javascript") fileref.setAttribute("src", filename) } else if (filetype=="css"){ //if filename is an external CSS file var fileref=document.createElement("link") fileref.setAttribute("rel", "stylesheet") fileref.setAttribute("type", "text/css") fileref.setAttribute("href", filename) } if (typeof fileref!="undefined") document.getElementsByTagName("head")[0].appendChild(fileref) } #sub_contents_main { width: *; float:none; } GST刻蚀——锗锑碲化物ICP刻蚀 电感耦合等离子体源 ICP 65 可以处理*2"的晶片 ICP 180可以处理*100mm的晶片 ICP 380可以处理*200mm的晶片 各个系统都适用于处理小尺寸的晶片 基于RIE的ICP刻蚀以及晶片电极可以对温度进行调节 使用*工艺 GST（Ge2Sb2Te5）是一种相移记忆材料   结果： 刻蚀速率：150nm/min 光刻胶掩模刻蚀选择比：>2:1 对SiO2刻蚀选择比：>3:1 均匀性：<±5%（200mm晶片） 侧面：各向异性          GST深度为0.2µm侧壁为74°      使用了大角度的光学掩模（PR）  （污染物是在切割分析用样品时引入的）       标签：     北京市icp   北京市icp厂家
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