氧化铪靶材HfO2氮化钽靶材

科研实验*氧化铪靶材HfO2氮化钽靶材TaN电子束镀膜蒸发料 产品介绍        氧化铪（HfO2）常温常压下为白色固体，熔点：2758℃，沸点：5400℃，密度：9.68g/cm，难溶于水，常温常压下稳定，避免与酸接触；当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪；用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料；是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它最可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO)，以解决目前MOSFET中传统SiO/Si结构的发展的尺寸极限问题。 产品参数 中文名 二氧化铪        化学式 HfO2     沸点 5400℃ 分子量 210.49           熔点 2758℃      密 度 9.68g/cm3 纯度 99.99% 产品介绍       氮化钽（TaN）为黑色六方结晶或黄绿色结，不溶于水、酸，加热至2000℃即释放出氮气。用来制造片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀；用作超硬质材料添加剂，用于喷涂，增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。 产品参数 中文名 氮化钽           化学式 TaN      分子量 194.95          熔点 3090°C 密度 13.4g/cm3       纯度99.99% 支持合金靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！  服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，*，售后无忧！ 产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装 适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备  质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。  加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库 标签： 氧化铪靶 氮化钽靶 磁控溅射   氧化铪靶材 氮化钽靶材 磁控溅射靶材   北京市钽靶材   北京市钽靶材厂家
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